삼성은 1NM 공정 기술 개발을 시작하고 2029 년 이후 대상 대량 생산

삼성 전자 장치는 1 나노 미터 (NM, 1 억 미터) 반도체 파운드리 프로세스를 개발하기 시작한 것으로 알려졌다.곧 대량 생산 된 2Nm 프로세스와 같은 고급 노드에서 TSMC로 현재 성능 간격에 직면하여 삼성은 테이블을 돌리기 위해 1NM 클래스로의 푸시를 가속화하는 것을 목표로합니다.

4 월 9 일 업계 소식통에 따르면, 삼성의 반도체 연구소는 최근 1NM 프로세스에 중점을 둔 개발 프로젝트를 시작했습니다.2NM과 같은 최첨단 프로세스에 참여한 선정 된 연구원들은 새로운 프로젝트 팀의 핵심을 형성하기 위해 재 할당되었습니다.현재 삼성의 공개 파운드리 로드맵에서 가장 진보 된 프로세스는 1.4NM 노드이며 2027 년 대량 생산으로 예정되어 있습니다.

1NM 제조를 달성하려면 높은 수치 조리개 극단 자외선 (High-NA EUV) 리소그래피 장비와 같은 차세대 도구와 함께 완전히 새로운 설계 패러다임이 필요합니다.보고서에 따르면 삼성은이 기술의 대량 생산을위한 2029 년 이후 타임 라인을 목표로하고 있다고합니다.

삼성은 현재 이미 생산중인 3NM 프로세스 기술에서 TSMC보다 뒤쳐져 있으며 올해 2NM 노드에서 생산에 들어갈 것으로 예상됩니다.특히, TSMC는 2NM 프로세스 (삼성보다 우선적으로 앞서)에 대해 60% 이상의 수확량을 달성 한 것으로 알려졌다.

동시에, 삼성의 경쟁자들은 1NM 클래스 기술로 나아가고 있습니다.예를 들어, TSMC는 2023 년 4 월에 2026 년 하반기에 1.6Nm (16a) 프로세스 (16a) 프로세스의 생산을 시작할 것이라고 발표했다.이 움직임은 AI 반도체 시장의 빠르게 진화하는 요구에 대한 반응과 미래의 기상 과정에 대한 계단으로 간주된다.